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[发明专利]监控半导体器件中磷硅玻璃层的磷浓度的方法-CN201210238322.0有效
发明人：李健 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2012-07-10 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种监控半导体器件中磷硅玻璃层的磷浓度的方法，包括下列步骤：根据目标磷硅玻璃层的厚度，采用与目标磷硅玻璃层相同的淀积工艺在第一晶圆上淀积磷硅玻璃形成磷硅玻璃结构；测磷硅玻璃结构的磷浓度，得到磷浓度曲线；根据磷浓度曲线，判断第一磷硅玻璃层的厚度；根据第一磷硅玻璃层的厚度，采用与目标磷硅玻璃层相同的淀积工艺在第二晶圆上淀积第三磷硅玻璃层，第三磷硅玻璃层的厚度不小于第一磷硅玻璃层的厚度；测第三磷硅玻璃层的磷浓度本发明形成的第三磷硅玻璃层的主体部分为第一磷硅玻璃层，其磷浓度变化能够很好地反映实际器件中较薄且磷浓度较低第一磷硅玻璃薄膜的磷浓度变化，因此能够有效预防接触孔刻蚀阻塞的产生。
监控半导体器件中磷硅玻璃浓度方法

[发明专利]一种去除磷硅玻璃的花苞顶部的方法-CN200710094226.2无效
发明人：徐伟中 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2007-11-13 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除磷硅玻璃的花苞顶部的方法，该方法包括如下步骤：第1步，采用HDP CVD工艺在带有图形的硅片上淀积磷硅玻璃，所述磷硅玻璃覆盖硅片上的图形并在图形周围形成花苞，所述磷硅玻璃的主体至少高出图形第2步，采用溅射工艺溅射第1步淀积的磷硅玻璃，至少将所述花苞的顶部通过溅射去除，同时仍保留一定厚度的磷硅玻璃覆盖图形。第3步，采用HDP CVD工艺再次淀积磷硅玻璃，直至所述磷硅玻璃达到预定厚度。本发明可以有效去除磷硅玻璃的花苞顶部，从而提高后续化学机械抛光的平坦性。
一种去除玻璃花苞顶部方法

[发明专利]磷硅玻璃生长工艺及磷硅玻璃-CN200710094369.3无效
发明人：徐伟中 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2007-11-30 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： C03B8/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷硅玻璃生长工艺，采用高密度等离子体化学汽相淀积生长磷硅玻璃，在磷硅玻璃沉积过程中，溅射偏压功率与硅片面积的比率范围在2至6W/cm²之间，氧气的摩尔量比硅烷与磷烷摩尔量的和的范围在本发明还公开了一种由上述工艺生长的磷硅玻璃，该磷硅玻璃花状外壳的底部起点与衬底的距离大于40nm。本发明通过选择适当的溅射偏压和氧气流量来降低溅射能量和溅射密度，减少图形之间开始形成磷硅玻璃花状外壳的速度，从而提高磷硅玻璃花状外壳底部起点，扩大了选择性刻蚀的工艺窗口。
玻璃生长工艺

[发明专利]一种硼磷硅玻璃膜回流方法-CN200610116167.X有效
发明人：常建光;周永昌 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-09-18 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： C03C17/02 文献下载
摘要：一种硼磷硅玻璃膜(BPSG)回流方法，包括如下步骤：将沉积了硼磷硅玻璃膜的晶片装入炉管；通过干回流(Dry Reflow)软化硼磷硅玻璃膜；通过湿回流(Wet Reflow)填充硼磷硅玻璃膜中的空隙。本发明先采用干回流再采用湿回流工艺有效克服仅采用其中一种方法回流所产生的空洞或是非正常薄膜，并且可以有效缩短回流制程的时间，在较低的温度下实现硼磷硅玻璃膜回流。
一种硼磷硅玻璃回流方法

[发明专利]降低高密度等离子体磷硅玻璃颗粒的方法-CN201310565732.0无效
发明人：侯多源;顾梅梅;陈建维;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-11-13 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：一种降低高密度等离子体磷硅玻璃颗粒的方法，包括：执行步骤S1：提供具有半导体器件之硅基衬底，并进行富硅氧化物薄膜淀积；执行步骤S2：进行未掺杂硅玻璃薄膜淀积；执行步骤S3：进行磷硅玻璃薄膜淀积，在所述磷硅玻璃薄膜淀积时本发明通过优化高密度等离子体磷硅玻璃薄膜的预金属电介质淀积工艺，降低所述预金属电介质淀积工艺中的磷硅玻璃薄膜淀积之磷烷流量，以及调整所述射频磁控溅射之功率，提高了所述磷硅玻璃薄膜的压应力，改善所述磷硅玻璃薄膜对所述工艺腔室之顶盖的黏附性，达到降低所述高密度等离子体磷硅玻璃颗粒的缺陷，提高产品良率。
降低高密度等离子体玻璃颗粒方法

[发明专利]硼磷硅玻璃介电层及其制备方法、沉积设备及半导体器件-CN202211734989.X在审
发明人：李贤 -专利权人：杭州富芯半导体有限公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C23C16/38 文献下载
摘要：本申请公开了一种硼磷硅玻璃介电层制备方法、沉积设备、硼磷硅玻璃介电层、半导体器件及电子设备，采用沉积设备利用化学气相沉积方式在晶圆表面形成硼磷硅玻璃薄膜，并且直接在形成硼磷硅玻璃膜的设备中直接进行高温加热干燥，显著提高介质层性能，在形成硼磷硅玻璃薄膜后无需额外的高温加热设备，避免引入热预算，有效节约设备成本，并且可以避免转运过程带来的污染风险等。向沉积设备中通入第一气体和第二气体保持第一设定时间，向沉积设备中通入干燥气流通过沉积设备的出气口带出硼磷硅玻璃薄膜表面的水分，并向沉积设备中通入四乙氧基硅烷和氧气，在硼磷硅玻璃薄膜表面进行USG的沉积。
硼磷硅玻璃介电层及其制备方法沉积设备半导体器件

[发明专利]一种磷硅玻璃掺杂壳聚糖中温质子交换膜及其制备方法-CN201711435099.8有效
发明人：李晓锦;时冉;苗纪远 -专利权人：中国科学院青岛生物能源与过程研究所
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01M8/1072 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷硅玻璃掺杂壳聚糖中温质子交换膜及其制备方法。本发明所提供的燃料电池质子交换膜主要以壳聚糖和磷硅玻璃为原料。其制备的方法是通过分别制备壳聚糖溶液和磷硅玻璃溶液或者磷硅玻璃粉末，然后将磷硅玻璃溶液或者粉末掺杂到壳聚糖溶液中充分搅拌均匀，得到混合溶液。将溶液倒至于聚四氟乙烯模盘中，干燥后剥离即得到磷硅玻璃掺杂壳聚糖高温质子交换膜。
一种玻璃掺杂聚糖质子交换及其制备方法

[发明专利]一种磷硅玻璃和多晶硅厚度的在线同步测试装置-CN201210177975.2有效
发明人：刘海韵;黄庆安;周再发 -专利权人：东南大学
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： B81C99/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷硅玻璃和多晶硅厚度的在线同步测试装置，包括绝缘衬底和三个测试单元，每个测试单元包括磷硅玻璃层和四探针多晶硅电阻测试桥，磷硅玻璃层固定于绝缘衬底顶面；磷硅玻璃层被刻蚀成相互平行的凹槽，在凹槽间形成台阶；多晶硅电阻条爬越磷硅玻璃层上的台阶；第一测试单元中，多晶硅电阻条与笛卡尔坐标系的X轴方向平行；第二测试单元和第三测试单元中，四探针多晶硅电阻测试桥的数量均为两个，多晶硅电阻条与笛卡尔坐标系的X轴之间分别形成该在线同步测试装置利用多晶硅爬越由磷硅玻璃制造的多个台阶，通过对三组五个多晶硅电阻的测试，进而实现磷硅玻璃和多晶硅厚度的测试。
一种玻璃多晶厚度在线同步测试装置

[实用新型]一种磷硅玻璃和多晶硅厚度的在线同步测试装置-CN201220255769.4有效
发明人：刘海韵;黄庆安;周再发 -专利权人：东南大学
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： B81C99/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种磷硅玻璃和多晶硅厚度的在线同步测试装置，包括绝缘衬底和三个测试单元，每个测试单元包括磷硅玻璃层和四探针多晶硅电阻测试桥，磷硅玻璃层固定于绝缘衬底顶面；磷硅玻璃层被刻蚀成相互平行的凹槽，在凹槽间形成台阶；多晶硅电阻条爬越磷硅玻璃层上的台阶；第一测试单元中，多晶硅电阻条与笛卡尔坐标系的X轴方向平行；第二测试单元和第三测试单元中，四探针多晶硅电阻测试桥的数量均为两个，多晶硅电阻条与笛卡尔坐标系的该在线同步测试装置利用多晶硅爬越由磷硅玻璃制造的多个台阶，通过对三组五个多晶硅电阻的测试，进而实现磷硅玻璃和多晶硅厚度的测试。
一种玻璃多晶厚度在线同步测试装置

[发明专利]一种消除磷硅玻璃初始氧化膜的方法-CN201010502544.X无效
发明人：缪燕;彭仕敏 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-10-11 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明公开了一种消除磷硅玻璃初始氧化膜的方法，包括如下步骤：第一步，在硅衬底上形成栅电极；第二步，LDD注入，在栅电极侧壁形成侧墙；第三步，源漏注入及快速热退火；第四步，生长磷硅玻璃薄膜，该步骤具体为：首先进行晶圆加热，然后淀积磷硅玻璃；在淀积磷硅玻璃之前的晶圆加热过程中引入还原性气体，抑制基体硅表面被氧化；第五步，自对准接触孔刻蚀。本发明可有效去除磷硅玻璃生长前的界面初始二氧化硅层，从而获得全掺杂的磷硅玻璃薄膜，避免了后续自对准接触孔刻蚀停止的问题。
一种消除玻璃初始氧化方法

[发明专利]选择性发射极、太阳电池及制备方法-CN202310668967.6在审
发明人：王锦乐 -专利权人：通威太阳能（成都）有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种选择性发射极的制备方法，包括以下步骤：提供磷扩散后的硅片，所述硅片的表面具有磷硅玻璃层前体；对所述硅片进行推进，以使所述磷硅玻璃层前体中的磷原子推进到所述硅片的内部；对所述推进后的所述硅片进行再次磷扩散，以使所述磷硅玻璃层前体形成磷硅玻璃层，并使所述磷硅玻璃层表面的磷原子的浓度为(5.0E20)N/cm3～(5.5E20)N/cm3；对所述硅片上的所述磷硅玻璃层的局部进行激光掺杂，未进行激光掺杂的区域为轻掺杂区，进行激光掺杂的区域为重掺杂区；去除所述磷硅玻璃层；对所述轻掺杂区进行热氧化。
选择性发射极太阳电池制备方法

[发明专利]一种磷硅玻璃钝化膜的优化方法-CN201410244676.5在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：哈尔滨工大华生电子有限公司
申请日： 2014-06-05 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明提供一种磷硅玻璃钝化膜的优化方法，是采用磷硅玻璃钝化膜经过磷含量控制后，经过磷处理后，采用PECVD方法生长氮化硅膜，保护磷硅玻璃钝化膜防止潮解的一项工艺优化过程。本发明采用了对磷硅玻璃钝化膜中磷含量的控制、钝化膜磷处理和钝化膜保护等优化工艺，解决了磷硅玻璃钝化膜自身缺陷而引起的刻蚀侵蚀，表面潮解而引起的极化效应。
一种玻璃钝化优化方法

[发明专利]沟槽型MOS晶体管制造方法-CN201310271012.3有效
发明人：吴亚贞;刘宪周 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-06-28 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：采用了两次形成硼磷硅玻璃的步骤，其中第一次形成硼磷硅玻璃封住了外围区保护环，之后去除有源区通孔中的硼磷硅玻璃，从而使得源漏极离子注入通孔变大，有利于提高注入质量，然后再次形成硼磷硅玻璃，完成了侧墙的形成
沟槽 mos 晶体管制造方法

[发明专利]形成绝缘介质层的方法以及绝缘介质层-CN202310100295.9在审
发明人：张琪;祁玉发;许捷;吴贤勇;刘峰松;高玉岐 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：所述方法包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底表面形成第一介质层；在所述第一介质层表面形成一硼磷硅玻璃层；对所述硼磷硅玻璃层进行疏水处理；在所述硼磷硅玻璃层表面形成第二介质层，从而形成包括所述第一介质层、硼磷硅玻璃层、以及第二介质层的绝缘介质层。本申请在形成硼磷硅玻璃层后进行了疏水处理，解决形成第二介质层后析出硼、磷产生鼓泡的问题，改善后续钨栓形貌异常的缺陷。
形成绝缘介质方法以及

[发明专利]一种晶体硅太阳电池选择性发射极的实现方法-CN201310097455.5无效
发明人：廖明墩;吴晓钟;沈艳;王学林;刘自龙 -专利权人：浙江晶科能源有限公司
申请日： 2013-03-26 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体硅太阳电池选择性发射极的实现方法，包括预沉积、去除需轻掺杂区域磷硅玻璃层和推进三个步骤，其中：通过预沉积，在p型硅片表面形成一层磷硅玻璃和磷含量低的n+型发射极；再通过化学腐蚀的方法，将需轻掺杂区域的磷硅玻璃层去除；最后通过高温推进，去除磷硅玻璃层区域发射极完成磷原子再分布，实现轻掺杂，而保留磷硅玻璃层区域发射极完成磷原子继续推进，实现重掺杂，从而形成选择性发射极结构。本发明通过化学腐蚀只将轻掺杂区域的磷硅玻璃层去除，而不破坏发射极，易于控制，而且保证发射极的均匀性好，形成的选择性发射极结构完美，有利于稳定获得效率高的选择性发射极电池。
一种晶体太阳电池选择性发射极实现方法

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